RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.7
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
20.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
3768
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link