RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
40
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
2981
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link