RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
27
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
3540
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link