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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
3419
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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