RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
3134
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link