Comparaison de la RAM SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Note globale

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.6 7.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 19200

Autour de 1.11% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

25 46

Autour de -84% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2717 2104

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns