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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
46
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
36
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2998
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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