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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2349
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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