RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2349
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link