RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2908
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link