RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
64
Autour de 28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
64
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
1948
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link