RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Comparez
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de 19% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.7
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3075
3492
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link