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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 19% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
12.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
27
读取速度,GB/s
17.7
18.8
写入速度,GB/s
12.7
14.5
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3075
3492
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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