RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Comparez
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
29
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
29
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.7
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3075
3134
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link