RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Comparez
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
23
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.7
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3075
3116
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link