RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
23
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
17.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3116
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link