RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
3773
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link