RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
39
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2807
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link