RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3557
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link