RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3557
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link