RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3557
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link