RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3557
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link