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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
77
Autour de -120% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
35
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
2460
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
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Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
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