RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
77
Autour de -208% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
3668
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link