RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
77
Autour de -196% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
2728
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link