RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
77
Autour de -114% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
2998
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link