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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
77
Autour de -157% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
6400
Autour de 3.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
23400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
2709
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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