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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
39
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
39
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2221
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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