RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2221
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link