RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
49
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
49
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2534
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link