RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Confronto
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
49
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
49
Velocità di lettura, GB/s
14.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
25600
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2438
2534
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link