RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
71
Autour de 48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
71
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
1767
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link