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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
71
Por volta de 48% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
71
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
6.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
1767
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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