RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2676
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link