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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
1989
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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