RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
37
Autour de -106% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
18
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3536
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link