RAM-Vergleich SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Gesamtnote

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

18 37

Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.2 14.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

16.2 10.6

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 17000

Rund um 1.13 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2438 3536

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns