RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Comparez
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
36
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2657
2938
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link