RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Comparez
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2657
3257
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link