RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2657
3257
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link