RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
68
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
68
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2007
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link