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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Pontuação geral
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Pontuação geral
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
68
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
1,597.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
68
Velocidade de leitura, GB/s
5,022.9
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,597.0
8.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
753
2007
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparações de RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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