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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
46
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
13.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
15.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
3191
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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