RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
13.6
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3191
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link