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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
総合得点
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
46
周辺 -31% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
14.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
13.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
35
読み出し速度、GB/s
14.2
16.7
書き込み速度、GB/秒
13.6
15.1
メモリ帯域幅、mbps
21300
25600
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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