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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
46
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
13.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
35
Velocità di lettura, GB/s
14.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
3191
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
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