RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Comparez
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
54
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
21300
Autour de 1.1 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
54
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
23400
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2657
2259
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link