RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Comparez
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Note globale
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
36
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.9
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2240
2490
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link