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SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Comparez
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Note globale
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Note globale
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
61
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,384.7
2,042.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
61
52
Vitesse de lecture, GB/s
4,448.3
5,635.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,042.4
2,384.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
860
1037
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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