RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Porównaj
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
61
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,384.7
2,042.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
61
52
Prędkość odczytu, GB/s
4,448.3
5,635.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,042.4
2,384.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
6400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
860
1037
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link