RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Note globale
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
57
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
57
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.0
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1955
2170
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XF875V-MIH 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link