RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Comparez
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Note globale
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Note globale
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
51
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
47
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2182
2308
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link